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Übersetzung für "transistor " (Französisch → Deutsch) :

TERMINOLOGIE

transistor à jonction alliée | transistor allié | transistor fabriqué par alliage

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

legierter Transistor | Legierungs- Flächentransistor | Legierungstransistor

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transistor terminal

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Endtransistor

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transistor

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Transistor

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logique à transistors multi-émetteurs et couplage à transistors | logique transistor-transistor

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Transistor-Transistor-Logik | TTL [Abbr.]

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ouvrier à la fabrication de transistors | ouvrière à la fabrication de transistors

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Transistorenarbeiter | Transistorenarbeiterin

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TEC à jonction | transistor à effet de champ à jonction | transistor à effet de champ à jonction de grille | transistor à jonction à effet de champ

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Feldeffekttransistor mit PN-Übergang | Flächentransistor | Sperrschicht-Feldeffekttransistor | Uebergangs-Feldeffekttransistor

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http://eurovoc.europa.eu/drupa (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://eurovoc.europa.eu/drupa (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://eurovoc.europa.eu/drupa (...) [HTML] [2017-12-31]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux (sauf génératrices photovoltaïques); diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés, et leurs parties

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

Dioden, Transistoren und ähnl. Halbleiterbauelemente; lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (einschl. Fotoelemente, auch zu Modulen zusammengesetzt oder in Form von Tafeln) (ausg. fotovoltaische Generatoren); Leuchtdioden; gefasste oder montierte piezoelektrische Kristalle; Teile davon

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[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

[16] Gordon Moore, einer der Mitbegründer von Intel, traf diese Feststellung im Jahre 1965 mit Blick auf die Geschwindigkeit, mit der sich die Dichte von Transistoren in integrierten Schaltkreisen erhöhte.

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https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2014-06-22]

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Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

Die Zahl der Transistoren, die auf einen integrierten Schaltkreis passen, wird voraussichtlich exponentiell steigen und sich etwa alle zwei Jahre verdoppeln (sogenanntes Mooresches Gesetz.) Dennoch werden die physischen Grenzen der derzeitigen Maskentechnik bald erreicht sein.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2010-09-28]

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3. transistors hyperfréquences prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 31 GHz;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

3. Mikrowellentransistoren, die für den Betrieb bei Frequenzen größer als 31 GHz ausgelegt sind,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

b. dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

b) Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

Cette année, les prix Descartes ont récompensé des travaux sur le développement de nouvelles méthodes étudiant les réactions chimiques cinétiques à très faible température, des recherches sur la synthèse et l'application d'une nouvelle famille de transistors polymériques conçus pour les circuits électroniques et la découverte du lien entre les processus qui réparent le matériel génétique et les moyens de transformer le matériel génétique en protéines.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-11-07]

In diesem Jahr wurde der Descartes-Preis verliehen für die Forschung bei der Entwicklung neuer Methoden zur Untersuchung der Kinetik chemischer Reaktionen bei sehr niedrigen Temperaturen, für die Synthese und Anwendung einer neuen Familie von Polymer-Transistoren für elektronische Schaltkeise sowie für die Entdeckung der Verbindung zwischen den Vorgängen, die Genmaterial reparieren und der Mittel, mit denen dieses in Proteine verwandelt wird.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-11-07]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2000-11-07]

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-12-31]

considérant que des dispositions sont nécessaires pour assurer l'application uniforme de la nomenclature du tarif douanier commun en vue de la classification du silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté, dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

Um die einheitliche Anwendung des Schemas des Gemeinsamen Zolltarifs sicherzustellen, sind Bestimmungen erforderlich für die Tarifierung von Silizium (polykristallin oder monokristallin) von sehr hoher Reinheit, durch Zusatz oder selektive Reinigung dotiert, zum Herstellen von Dioden, Transistoren oder anderen ähnlichen Halbleitern.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1970-02-05]

Le silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs relève dans le tarif douanier commun: a) de la sous-position 28.04:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

Silizium (polykristallin oder monokristallin), von sehr hoher Reinheit, durch Zusatz oder selektive Reinigung dotiert, zum Herstellen von Dioden, Transistoren oder anderen ähnlichen Halbleitern, gehört im Gemeinsamen Zolltarif: a) zu Tarifstelle 28.04:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1970-02-05]

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Date index: 2024-01-09