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Anisotropic plasma dry etching
Bite first
Deep etch offset
Deep-etch
Deep-etch offset
Dry etching
Dry etching process
Dry plasma etching
Etch-offset
Etching first
Flat etch
Flat etching
Intaglio offset
Offset deep printing
Plasma dry etching
Plasma etching
Polish tools used for etching
Pre-etching
Prepare etching workpieces
Prepare workpieces for etching
Prepare workpieces to etch

Übersetzung für "dry etching " (Englisch → Französisch) :

TERMINOLOGIE










plasma etching [ dry plasma etching | dry etching ]

gravure au plasma [ décapage au plasma ]


anisotropic plasma dry etching

méthode sèche anisotropique par plasma


polish tools used for etching | prepare workpieces to etch | prepare etching workpieces | prepare workpieces for etching

préparer des pièces à graver à l'eau-forte


deep-etch offset | deep etch offset | etch-offset | offset deep printing | deep-etch | intaglio offset

offset en creux | offset creux | offset grand creux | procédé offset-creux


flat etch | flat etching | bite first | etching first | pre-etching

morsure préliminaire | première morsure
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
(6) A change to machine-tools for working any material by removal of material by electro-chemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes for dry-etching patterns on semiconductor materials of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from heading 84.56 or more than one of the following:

(6) Un changement aux machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par procédés électrochimiques, par faisceaux d’électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma pour la gravure à sec du tracé sur les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf de la position 84.56 ou de plus d’un des éléments suivants :


c". Stored programme controlled" anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:

c. équipements "à commande par programme enregistré" pour l'élimination par des méthodes sèches anisotropiques par plasma, comme suit:


After etching, the specimen is washed in water, immersed for about 30 seconds in 50 % dilute nitric acid, washed again in water and dried with compressed air.

Après l'attaque, l'échantillon est lavé à l'eau, trempé pendant 30 secondes environ dans de l'acide nitrique dilué à demi, rincé à nouveau à l'eau séché à l'air comprimé.


After etching, the specimens are very carefully washed with de-ionized water and dried with greasefree compressed air.

Après l'attaque, les échantillons sont rincés minutieusement avec de l'eau déionisée et séchés avec de l'air comprimé exempt de graisse.




datacenter (1): www.wordscope.de (v4.0.br)

'dry etching' ->

Date index: 2024-02-13
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