[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2017-12-31]

For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits of heading 85.42 and microassemblies of heading 85.43 or 85.48.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

Pour l’application de la présente note, « éléments actifs » s’entend des diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits de la position 85.42 et des micro-assemblages électroniques des positions 85.43 ou 85.48.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-26]

For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits and microassemblies of heading 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

Aux fins de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-26]

For purposes of this note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading No. 85. 41, and integrated circuits and microassemblies of heading No. 85. 42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-25]

Pour l’application de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41, et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-25]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-25]

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The number of transistors that can be placed on an integrated circuit is expected to increase exponentially, doubling approximately every two years (so-called 'Moore's Law').

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2010-09-28]

"Circuit element" is a single active or passive functional part of an electronic circuit, such as one diode, one transistor, one resistor, one capacitor, etc.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

"Microcircuit microprocesseur" (3): "circuit intégré monolithique" ou "circuit intégré à multiplaquettes" contenant une unité arithmétique et logique (UAL) capable d'exécuter à partir d'une mémoire externe une série d'instructions universelles

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2000-12-31]

"Circuit element": a single active or passive functional part of an electronic circuit, such as one diode, one transistor, one resistor, one capacitor, etc.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

"Outil actif": dispositif destiné à appliquer à la pièce à usiner la puissance motrice, l'énergie nécessaire au processus ou les capteurs.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2000-12-31]

This year, the Descartes prizes were awarded for research in developing new methods of studying chemical reaction kinetics at very low temperatures, for the synthesis and application of a new falily of polymeric self-oriented transistors for electronic circuits and for discovering the link between the processes that repair genetic material and the means by which genetic material is turned into proteins.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-11-07]

Cette année, les prix Descartes ont récompensé des travaux sur le développement de nouvelles méthodes étudiant les réactions chimiques cinétiques à très faible température, des recherches sur la synthèse et l'application d'une nouvelle famille de transistors polymériques conçus pour les circuits électroniques et la découverte du lien entre les processus qui réparent le matériel génétique et les moyens de transformer le matériel génétique en protéines.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-11-07]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2000-11-07]

(B) "Electronic integrated circuits and microassemblies" are: (a) Monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

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(b) Hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

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Date index: 2022-09-19