b) Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

b) Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMTs (high electron mobility transistors), HBTs (hetero-bipolar transistors), "quantum well devices" oder "super lattice devices";

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2000-12-31]

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