Übersetzung für "Chemische Beschichtung Gasphase " (Deutsch → Englisch) :

TERMINOLOGIE

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chemical vapor deposition | chemical vapour deposition | CVD [Abbr.]

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physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen

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thermal evaporation-physical vapour deposition

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physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen | TE-PVD [Abbr.]

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thermal-evaporation physical vapour deposition | TE-PVD [Abbr.]

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

alle Mengen jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in der Union in Verkehr gebracht hat, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, für die Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie gesondert anzugeben sind.

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the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

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teilfluorierte Kohlenwasserstoffe, die von einem Hersteller oder Einführer direkt an ein Unternehmen geliefert werden, das sie zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie verwendet.

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hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

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(10) Fluorierte Treibhausgase, die zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie in Verkehr gebracht werden, werden mit einer Kennzeichnung versehen, auf der angegeben ist, dass der Inhalt des Behälters nur zu diesem Zweck verwendet werden darf.

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10. Fluorinated greenhouse gases placed on the market for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector shall be labelled with an indication that the contents of the container may only be used for that purpose.

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die Menge jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in die Union eingeführt hat, unter Angabe der Hauptkategorien der Anwendungen, für die die Stoffe verwendet werden, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Zerstörung, für Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, zur Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterin ...[+++]

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the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufactur ...[+++]

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10. Fluorierte Treibhausgase, die zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie in Verkehr gebracht werden, werden mit einer Kennzeichnung versehen, auf der angegeben ist, dass der Inhalt des Behälters nur zu diesem Zweck verwendet werden darf.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2014-03-11]

10. Fluorinated greenhouse gases placed on the market for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector shall be labelled with an indication that the contents of the container may only be used for that purpose.

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die Menge jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in die Union eingeführt hat, unter Angabe der Hauptkategorien der Anwendungen, für die die Stoffe verwendet werden, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Zerstörung, für Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, zur Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterin ...[+++]

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the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufactur ...[+++]

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http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2014-03-11]

alle Mengen jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in der Union in Verkehr gebracht hat, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, für die Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie gesondert anzugeben sind ;

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the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

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teilfluorierte Kohlenwasserstoffe, die von einem Hersteller oder Einführer direkt an ein Unternehmen geliefert werden, das sie zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie verwendet;

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hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

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teilfluorierte Kohlenwasserstoffe, die von einem Hersteller oder Einführer direkt an ein Unternehmen geliefert werden, das sie zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie verwendet;

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hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2013-12-31]

Nummer 2B005 erfasst nicht Ausrüstung für chemische Beschichtung aus der Gasphase, Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Ionenplattierung oder Ionenimplantation, besonders konstruiert für Schneidwerkzeuge oder für Werkzeuge zur spanenden Bearbeitung.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

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