The project comprises the construction of a new plant producing DRAMs (Dynamic Random Access Memory - semiconductors that store binary data) with a storage capability of 512 megabit and beyond.
Die Investition gilt dem Bau eines neuen Werks für die Herstellung von D-RAM (dynamischen Schreib-/Lesespeichern, d.h. Halbleitern, die binäre Daten speichern) mit einer Speicherkapazität von 512 Megabit und mehr.