41. Draws attention to the upsurge in social networking platforms offering internet users the chance to provide financial support for the production of a film or documentary, which makes them feel like an integral part of its making, but stresses, nonetheless, that in the short term this type of funding is unlikely to replace traditional sources of funding;

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2012-09-10]

41. weist auf den Aufstieg von Community-Plattformen hin, die den Internetnutzern anbieten, sich finanziell an der Produktion eines Films oder Dokumentarfilms zu beteiligen, die ihnen das Gefühl vermitteln, konkret am Schöpfungsprozess beteiligt zu sein; betont jedoch, dass es kurzfristig schwierig erscheint, diese Art der Finanzierung als Ersatz für die traditionellen Finanzierungsmethoden zu etablieren;

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2012-09-10]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2012-09-10]

- "Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

- "integrierte Schichtschaltungen" einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

Integrated circuits include the following types:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

Zu den integrierten Schaltungen gehören:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

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ATMEL Rousset, daughter of the US-based company ATMEL Corp, produces various types of semiconductors, in particular flash memories, integrated circuits for chip cards and specific circuits (ASIC and ASSP).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2001-07-24]

ATMEL Rousset, Tochter des in den US niedergelassenen Unternehmens ATMEL Corp, stellt verschiedene Sorten von Halbleitern her, insbesondere Flash Memories, integrierte Schaltkreise für Chipkarten und spezifische Schaltkreise (ASIC und ASSP).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2001-07-24]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2001-07-24]

(b) hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1998-12-31]

b) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen usw.), die in der Dünnschicht-oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind, und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z.B. Glas oder Keramik) vereinigt sind.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1998-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1998-12-31]

(b) Hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

b) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen, usw.), die in der Dünnschicht- oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind, und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z.B. Glas oder Keramik) vereinigt sind.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML]

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