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Übersetzung für "transistor " (Englisch → Deutsch) :

TERMINOLOGIE

MOS parasitic transistor | parasitic FET | parasitic field-effect-transistor | parasitic metal-oxide-semiconductor transistor | parasitic MOS transistor

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

parasitärer MOS-Transistor

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junction field-effect transistor | Junction Gate Field Effect Transistor | junction-gate field-effect transistor | JFET [Abbr.] | JUGFET [Abbr.]

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Feldeffekttransistor mit PN-Übergang | Flächentransistor | Sperrschicht-Feldeffekttransistor | Uebergangs-Feldeffekttransistor

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field effect transistor of MOS technology | metal oxide semiconductor field-effect transistor | Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | MOSFET [Abbr.]

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Feldeffekttransistor in MOS-Technik

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http://eurovoc.europa.eu/drupa (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

[16] Gordon Moore, einer der Mitbegründer von Intel, traf diese Feststellung im Jahre 1965 mit Blick auf die Geschwindigkeit, mit der sich die Dichte von Transistoren in integrierten Schaltkreisen erhöhte.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2017-12-31]

RF power transistors make RF signals more powerful and are predominantly used in base stations for mobile telecommunications (3G, 4G, LTE), as well as in radio and television broadcasting, microwave ovens, mobile radios and air traffic control equipment.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

Dabei werden spezielle Hochfrequenztransistoren verwendet, um die Funksignale zu verstärken. Solche Hochfrequenztransistoren kommen vorwiegend in Basisstationen für Mobilfunknetze (3G, 4G (LTE), aber auch bei der Rundfunk- und Fernsehübertragung, in Mikrowellengeräten, Funkgeräten und Ausrüstungen für die Flugsicherung zum Einsatz.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

Semiconductor materials, most typically silicon, are used in semiconductor devices like microchips and their components (for example diodes and transistors).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-11-22]

Die meisten Halbleitermaterialien, in der Regel Silizium, werden in Halbleiterbauelementen wie Mikrochips und deren Bestandteile (z. B. Dioden und Transistoren) verwendet.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-11-22]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-11-22]

Diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, incl. photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels (excl. photovoltaic generators); light emitting diodes, mounted piezoelectric crystals; parts thereof

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2014-06-22]

Dioden, Transistoren und ähnl. Halbleiterbauelemente; lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (einschl. Fotoelemente, auch zu Modulen zusammengesetzt oder in Form von Tafeln) (ausg. fotovoltaische Generatoren); Leuchtdioden; gefasste oder montierte piezoelektrische Kristalle; Teile davon

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2014-06-22]

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Semiconductors are used in various electronic components (such as diodes and transistors) that control the conduction of electricity.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

Halbleiter werden in verschiedenen Elektronikbauteilen zur Stromsteuerung (wie Dioden oder Transistoren) verwendet.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

The Commission found that NXP and Freescale are the two largest players and close competitors in the RF power transistors market, in particular those used in base stations for mobile telecommunications.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

Die Kommission gelangte zu dem Ergebnis, dass NXP und Freescale die beiden größten Marktteilnehmer und enge Wettbewerber im Bereich der Hochfrequenztransistoren sind, insbesondere in Bezug auf Transistoren für Mobilfunk-Basisstationen.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

The Commission also endorsed Slovak investment aid of € 34.9 million in favour of AU Optronics for setting up a new production plant for the manufacture of thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) modules and TV sets.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2011-07-12]

Die Kommission genehmigte ferner eine slowakische Investitionsbeihilfe von 34,9 Mio. EUR zugunsten von AU Optronics, die für die Errichtung einer neuen Produktionsanlage zur Herstellung von Dünnschichttransistor-Flüssigkristall-bildschirmmodulen (TFT-LCD-Modulen) und Fernsehgeräten bestimmt ist.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2011-07-12]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2011-07-12]

No. I suspect that most people haven’t even thought of it and even if they become aware of this latest over-zealous piece of EU legislation, they will place the dud batteries from their transistor radios in the dustbin.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2006-07-03]

Ich vermute, dass das den meisten Leuten noch nicht einmal in den Sinn gekommen ist und dass sie ihre leeren Batterien fürs Transistorradio auch dann in den Müll werfen werden, wenn Ihnen diese neueste übereifrige EU-Vorschrift bekannt ist.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2006-07-03]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2006-07-03]

b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

b) Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

Furthermore, these electronic ballasts are made with transistors that contain heavy metals, such as tantalum, germanium, and even arsenic, not to mention plastic, that is to say, non-biodegradable pollutants, whereas the copper and sheet metal of the ferromagnetic ballasts are biodegradable.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2000-01-19]

Des weiteren befinden sich in den elektronischen Vorschaltgeräten Transistoren, die Schwermetalle wie Tantal und Germanium, und sogar Arsen enthalten; hinzu kommt noch Kunststoff, d. h. biologisch nicht abbaubare Schadstoffe, während das Kupfer und das Blech der magnetischen Vorschaltgeräte biologisch abbaubar sind.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2000-01-19]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2000-01-19]

Andere haben gesucht : jugfet junction gate field effect transistor mos parasitic transistor mosfet metal-oxide semiconductor field effect transistor electronic component electronic tube integrated circuit junction field-effect transistor junction-gate field-effect transistor metal oxide semiconductor field-effect transistor microchip microprocessor parasitic fet parasitic mos transistor semi-conductor transistor

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Date index: 2023-05-14