Les produits faisant l'objet du rée
xamen sont certains circuits électroniques intégrés
dits «DRAM» (dynamic rando
m access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la Répu
...[+++]blique de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).
Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).
