Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux (sauf génératrices photovoltaïques); diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés, et leurs parties

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

Dioden, Transistoren und ähnl. Halbleiterbauelemente; lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (einschl. Fotoelemente, auch zu Modulen zusammengesetzt oder in Form von Tafeln) (ausg. fotovoltaische Generatoren); Leuchtdioden; gefasste oder montierte piezoelektrische Kristalle; Teile davon

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Les matériaux semi-conducteurs, dont l'exemple le plus connu est le silicium, sont utilisés dans des dispositifs à semi-conducteur, tels que les puces et leurs composants ( diodes et transistors, par exemple).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-11-22]

Die meisten Halbleitermaterialien, in der Regel Silizium, werden in Halbleiterbauelementen wie Mikrochips und deren Bestandteile (z. B. Dioden und Transistoren) verwendet.

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Les semi-conducteurs sont utilisés dans divers composants électroniques (comme les diodes et les transistors) qui contrôlent la conduction de l’électricité.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

Halbleiter werden in verschiedenen Elektronikbauteilen zur Stromsteuerung (wie Dioden oder Transistoren) verwendet.

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ex 8541 | Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, à l’exclusion des disques (wafers) non encore découpés en microplaquettes | Fabrication: à partir de matières de toute position, à l’exclusion des matières de la même position que le produit, etdans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2009-04-27]

ex 8541 | Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente, ausgenommen noch nicht in Mikroplättchen zerschnittene Scheiben (Wafers) | Herstellen aus Vormaterialien jeder Position, ausgenommen aus Vormaterialien der Position der Ware,bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 40 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 25 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet |

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2009-04-27]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2009-04-27]

B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

B". Elektronische integrierte Schaltungen und zusammengesetzte elektronische Mikroschaltungen (Mikrobausteine)": a) monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen, usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z.B. dotiertem Silicium) hergestellt worden sind und ein untrennbares Ganzes bilden;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1987-07-19]

5. Au sens des nos 85.41 et 85.42, on considère comme: A) «Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur», les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

5. Im Sinne der Positionen 85.41 und 85.42 sind: A". Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente" Bauelemente, deren Arbeitsweise auf der Veränderung des spezifischen Widerstandes unter dem Einfluß eines elektrischen Feldes beruht;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1987-07-19]

considérant que des dispositions sont nécessaires pour assurer l'application uniforme de la nomenclature du tarif douanier commun en vue de la classification du silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté, dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

Um die einheitliche Anwendung des Schemas des Gemeinsamen Zolltarifs sicherzustellen, sind Bestimmungen erforderlich für die Tarifierung von Silizium (polykristallin oder monokristallin) von sehr hoher Reinheit, durch Zusatz oder selektive Reinigung dotiert, zum Herstellen von Dioden, Transistoren oder anderen ähnlichen Halbleitern.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1970-02-05]

Le silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs relève dans le tarif douanier commun: a) de la sous-position 28.04:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

Silizium (polykristallin oder monokristallin), von sehr hoher Reinheit, durch Zusatz oder selektive Reinigung dotiert, zum Herstellen von Dioden, Transistoren oder anderen ähnlichen Halbleitern, gehört im Gemeinsamen Zolltarif: a) zu Tarifstelle 28.04:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1970-02-05]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1970-02-05]

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Date index: 2022-07-28