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Alliage semiconducteur
Compose semiconducteur
Dispositif à semi-conducteur
Dispositif à semiconducteur
Dispositif à semiconducteurs
Semi-conducteur
Semi-conducteur composé
Semi-conducteurs
Semiconducteur
Semiconducteur composé
Semiconducteurs
Tension de grille de TEC métal-semiconducteur
Tension de grille de transistor MESFET

Übersetzung für "Semiconducteurs " (Französisch → Deutsch) :

TERMINOLOGIE


alliage semiconducteur | compose semiconducteur | semiconducteur composé | semi-conducteur composé

Verbindungshalbleiter


tension de grille de TEC métal-semiconducteur | tension de grille de transistor à effet de champ métal-semiconducteur | tension de grille de transistor MESFET

Gatespannung


dispositif à semiconducteur | dispositif à semi-conducteur | dispositif à semiconducteurs

Betriebsmittel mit Halbleitern | Halbleiterbauelement | Halbleiter-Bauelement | Halbleiterkomponente


IN-CONTEXT TRANSLATIONS
[16] L'emploi généralisé des équipements TIC appelle une amélioration notable de l'efficacité des semiconducteurs et des technologies dans le domaine des piles.

[16] Angesichts der weit verbreiteten Nutzung von IKT-Geräten sind deutliche Effizienzverbesserungen in der Halbleiter- und Batterietechnik notwendig.


NXP Semiconductors fabrique et vend différentes catégories de semiconducteurs, dont des semiconducteurs pour le secteur automobile et des semiconducteurs pour le secteur des appareils mobiles, notamment les solutions NFC.

NXP Halbleiter produziert und verkauft verschiedene Kategorien von Halbleitern, einschließlich Halbleiter für die Automobilindustrie und Halbleiter für den Mobilgerätesektor, vor allem NFC-Lösungen.


La Commission craint que l'opération puisse entraîner une hausse des prix, limiter le choix et ralentir l'innovation dans le secteur des semiconducteurs.

Die Kommission hat Bedenken dahingehend, dass die Übernahme zu höheren Preisen, weniger Auswahl und geringerer Innovation in der Halbleiterindustrie führen könnte.


G. considérant que la directive déléguée de la Commission prolonge l'exemption 39 jusqu'au 30 juin 2017, en la renommant l'exemption 39 a), tout en introduisant une nouvelle exemption 39 b), plus spécifique, sur le "cadmium dans les boîtes quantiques de nanocristaux semiconducteurs à base de cadmium pour conversion de longueur d'onde ("downshifting") destinées à être utilisées dans les applications d'éclairage d'écrans (< 0,2 μg de Cd par mm de superficie d'écran)", dont la date d'expiration est fixée au 30 juin 2018;

G. in der Erwägung, dass durch die delegierte Richtlinie der Kommission der Geltungszeitraum der Ausnahme 39 bis zum 30. Juni 2017 verlängert und diese Ausnahme in Ausnahme 39a umnummeriert sowie eine neue, spezifischere Ausnahme 39b eingeführt wird, die sich auf „Cadmium in cadmiumhaltigen Halbleiter-Nanokristall-Quantenpunkten zur Wellenlängenwandlung in Anwendungen in Display-Beleuchtungen (< 0,2 µg Cd je mm Bildschirmfläche)“ bezieht und deren Gültigkeit am 30. Juni 2018 abläuft;


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H. considérant que la directive déléguée prolonge l'exemption 39 jusqu'au 30 juin 2017, en la renommant l'exemption 39 a), tout en introduisant une nouvelle exemption 39 b), plus spécifique, sur le "cadmium dans les boîtes quantiques de nanocristaux semiconducteurs à base de cadmium pour conversion de longueur d'onde ("downshifting") destinées à être utilisées dans les applications d'éclairage d'écrans (

H. in der Erwägung, dass durch die delegierte Richtlinie der Kommission der Geltungszeitraum der Ausnahme 39 bis zum 30. Juni 2017 verlängert und diese Ausnahme in Ausnahme 39a umnummeriert sowie eine neue, spezifischere Ausnahme 39b eingeführt wird, die sich auf „Cadmium in cadmiumhaltigen Halbleiter-Nanokristall-Quantenpunkten zur Wellenlängenwandlung in Anwendungen in Display-Beleuchtungen (


15. Le plomb dans les soudures visant à réaliser une connexion électrique durable entre la puce et le substrat du semiconducteur dans les boîtiers de circuits intégrés à puce retournée.

15. Blei in Loten zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen.


15. Le plomb dans les soudures visant à réaliser une connexion électrique durable entre la puce et le substrat du semiconducteur dans les boîtiers de circuits intégrés à puce retournée.

15. Blei in Loten zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen.


[16] L'emploi généralisé des équipements TIC appelle une amélioration notable de l'efficacité des semiconducteurs et des technologies dans le domaine des piles.

[16] Angesichts der weit verbreiteten Nutzung von IKT-Geräten sind deutliche Effizienzverbesserungen in der Halbleiter- und Batterietechnik notwendig.


Le plomb dans les soudures visant à réaliser une connexion électrique durable entre la puce et le substrat du semiconducteur dans les boîtiers de circuits intégrés à puce retournée».

Blei in Loten zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen.“


Le plomb dans les soudures visant à réaliser une connexion électrique durable entre la puce et le substrat du semiconducteur dans les boîtiers de circuits intégrés à puce retournée».

Blei in Loten zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen.“




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Semiconducteurs ->

Date index: 2022-03-09
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