8542 31 to 8542 33 and 8542 39 | Monolithic integrated circuits | Manufacture from materials of any heading, except that of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 45 % of the ex-works price of the product |
8542 31 bis 8542 33 und 8542 39 | Monolithische integrierte Schaltungen | Herstellen aus Vormaterialien jeder Position, ausgenommen aus Vormaterialien derselben Position wie das Erzeugnis oder das Verfahren der Diffusion (bei dem durch selektives Aufbringen eines geeigneten Dotierungsstoffes auf ein Halbleitersubstrat integrierte Schaltungen gebildet werden), auch wenn der Zusammenbau und/oder das Testen in einer Nichtvertragspartei stattfinden | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 45 v. H. des Ab-Werk-Preises des Erzeugnisses nicht überschreitet |
