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Métallisation par pulvérisation cathodique
Métallisation sous vide
Pulvérisation cathodique
Pulvérisation de la cathode
Pulvérisation par bombardement ionique

Übersetzung für "Métallisation par pulvérisation cathodique " (Französisch → Deutsch) :

TERMINOLOGIE
métallisation par pulvérisation cathodique | métallisation sous vide

Metallaufdampfen


pulvérisation cathodique | pulvérisation de la cathode

Kathodenzerstäubung


pulvérisation cathodique | pulvérisation par bombardement ionique

Kathodenzerstäubung | Sputtern | Sputterverfahren | Sputter-Verfahren | Zerstäubung | Zerstäubung durch Ionenbeschuss
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Bien qu’à l’heure actuelle le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran ne puisse pas être techniquement remplacé, cela devrait être possible à partir du 1er juillet 2010.

Die Ersetzung von Quecksilber als Inhibitor zur Vermeidung von Sputtering bei DC-Plasmadisplays mit bis zu 30 mg pro Display ist zurzeit technisch nicht praktikabel, dürfte aber spätestens ab 1. Juli 2010 machbar sein.


Le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran jusqu’au 1er juillet 2010.

Quecksilber als Kathode-Sputtering-Inhibitor in DC-Plasmadisplays mit einem Gehalt von bis zu 30 mg pro Display bis 1. Juli 2010.


Le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran jusqu’au 1er juillet 2010.

Quecksilber als Kathode-Sputtering-Inhibitor in DC-Plasmadisplays mit einem Gehalt von bis zu 30 mg pro Display bis 1. Juli 2010.


Bien qu’à l’heure actuelle le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran ne puisse pas être techniquement remplacé, cela devrait être possible à partir du 1er juillet 2010.

Die Ersetzung von Quecksilber als Inhibitor zur Vermeidung von Sputtering bei DC-Plasmadisplays mit bis zu 30 mg pro Display ist zurzeit technisch nicht praktikabel, dürfte aber spätestens ab 1. Juli 2010 machbar sein.


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Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.

Nummer 2B005 erfasst nicht Ausrüstung für chemische Beschichtung aus der Gasphase, Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Ionenplattierung oder Ionenimplantation, besonders konstruiert für Schneidwerkzeuge oder für Werkzeuge zur spanenden Bearbeitung.


e. equipements de production à "commande par programme enregistré" pour le dépot par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures 0,1 mA/mm2 à une vitesse de dépot égale ou supérieure à 15 µm/heure;

e) "speicherprogrammierbare" Herstellungsausrüstung für die Kathodenzerstäubungs-(Sputter-)Beschichtung, geeignet für Stromdichten von 0,1 mA/mm2 oder höher bei einer Beschichtungsrate größer/gleich 15 µm/h;


f. Le dépôt par pulvérisation cathodique est un procédé de revêtement par recouvrement, fondé sur un phénomène de transfert d'énergie cinétique, par lequel des ions positifs sont accélérés par un champ électrique et projetés sur la surface d'une cible (matériau de revêtement).

f) Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, das auf dem Prinzip der Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mit Hilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines Targets (Beschichtungsmaterial) geschossen.




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Date index: 2024-04-09
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