[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

[16] Gordon Moore, einer der Mitbegründer von Intel, traf diese Feststellung im Jahre 1965 mit Blick auf die Geschwindigkeit, mit der sich die Dichte von Transistoren in integrierten Schaltkreisen erhöhte.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2017-12-31]

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

Die Zahl der Transistoren, die auf einen integrierten Schaltkreis passen, wird voraussichtlich exponentiell steigen und sich etwa alle zwei Jahre verdoppeln (sogenanntes Mooresches Gesetz.) Dennoch werden die physischen Grenzen der derzeitigen Maskentechnik bald erreicht sein.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2010-09-28]

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-12-31]

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

b) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen usw.), die in der Dünnschicht-oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind, und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z.B. Glas oder Keramik) vereinigt sind.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-10-11]

For more results, go to https://pro.wordscope.com to translate your documents with Wordscope Pro!

a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

a) monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z.B. dotiertem Silicium) hergestellt worden sind und ein untrennbares Ganzes bilden;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-10-11]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

b) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen, usw.), die in der Dünnschicht- oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind, und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z.B. Glas oder Keramik) vereinigt sind.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1987-07-19]

B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

B". Elektronische integrierte Schaltungen und zusammengesetzte elektronische Mikroschaltungen (Mikrobausteine)": a) monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen, usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z.B. dotiertem Silicium) hergestellt worden sind und ein untrennbares Ganzes bilden;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1987-07-19]

Andere haben gesucht : mos complémentaire circuit client circuit intégré circuit intégré client circuit intégré spécifique circuit intégré sur mesure circuit intégré à application spécifique circuit intégré à la demande circuit intégré à transistors mos circuit spécifique composant de mémoire composant électronique microprocesseur ou msi ou circuits à grande échelle puce électronique semi-conducteur transistor tube électronique

datacenter (12): www.wordscope.de (v4.0.br)

circuit intégré à transistors mos ->

Date index: 2022-01-04