Le Conseil a adopté un règlement modifiant le règlement (CE) n° 1480/2003 instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits "DRAM" (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (doc. 7246/06).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

Der Rat nahm eine Verordnung zur Änderung der Verordnung 1480/2003 zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea an (Dok. 7246/06).

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Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (3) (nachstehend „endgültige Verordnung“ genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein.

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Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels qu ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem R ...[+++]

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

Der endgültigen Verordnung ging die Verordnung (EG) Nr. 708/2003 der Kommission vom 23. April 2003 zur Einführung eines vorläufigen Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen mit Ursprung in der Republik Korea (4) (nachstehend „vorläufige Verordnung“ genannt) voraus.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

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Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

Le Conseil a arrêté ce jour , les délégations française et néerlandaise votant contre, un règlement instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits "DRAM" (dynamic random access memories mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (doc. 11806/03).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-08-10]

Der Rat hat heute eine Verordnung zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea (Dok. 11806/03) angenommen; die französische und die niederländische Delegation hatten gegen die Annahme gestimmt.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-08-10]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2003-08-10]

Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.

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Das Verfahren erstreckt sich auf bestimmte Mikroschaltungen, sogenannte dynamische Schreib-Lesespeicher (DRAMs), und zwar sowohl auf: - DRAM-Wafers oder DRAM-Chips als auch auf - montierte und geteste DRAMs und - Multikombinationsformen wie DRAM-Module, ungeachtet ihres MOS-Herstellungsverfahrens, ihrer Dichte, Konfiguration und Zugriffszeit sowie ihres Gehäuses.

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Antidumping : Importations de "DRAM" du Japon et de la République de Corée Le Conseil a prorogé, pour une période d'un an, la suspension des droits antidumping définitifs sur les importations de certains types de microcircuits électroniques, dits "DRAM" (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire), originaires du Japon et de la République de Corée, institués respectivement par les règlements (CEE) nu 2112/90 et nu 611/93.

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Antidumping: Einfuhren von "DRAMs" aus Japan und der Republik Korea Der Rat hat die Aussetzung der mit den Verordnungen (EWG) Nr. 2112/90 bzw. Nr. 611/93 eingeführten endgültigen Antidumpingzölle auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher), mit Ursprung in Japan bzw. der Republik Korea um ein Jahr verlängert.

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Date index: 2024-01-23