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Übersetzung für "Mémoire dynamique à accès aléatoire " (Französisch → Deutsch) :

TERMINOLOGIE

mémoire dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | Mémoire électronique dynamique | Dram [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

dynamischer Schreib-Lesespeicher | dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

accès La mémoire est à accès instantanée.

https://www.termdat.bk.admin.c (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

Zugriff (EDV)

https://www.termdat.bk.admin.c (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

https://www.termdat.bk.admin.c (...) [HTML] [2018-01-01]

mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès direct | mémoire à accès sélectif

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

Direktzugriffspeicher | Randomspeicher | Speicher mit direktem Zugriff | Speicher mit wahlfreiem Zugriff

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

mémoire à accès sélectif | mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire | mémoire vive | MEV [Abbr.] | Ram [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

Schreib-Lese-Speicher | Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff | Ram [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

mémoire dynamique syn.: mémoire à circulation | ou: mémoire à propagation | ou: mémoire circulante | ou: mémoire à défilement

https://www.termdat.bk.admin.c (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

dynamischer Speicher

https://www.termdat.bk.admin.c (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

https://www.termdat.bk.admin.c (...) [HTML] [2018-01-01]

mémoire à accès direct syn.: mémoire à accès sélectif

https://www.termdat.bk.admin.c (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

Direktzugriffspeicher

https://www.termdat.bk.admin.c (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

https://www.termdat.bk.admin.c (...) [HTML] [2018-01-01]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

Der endgültigen Verordnung ging die Verordnung (EG) Nr. 708/2003 der Kommission vom 23. April 2003 zur Einführung eines vorläufigen Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen mit Ursprung in der Republik Korea (4) (nachstehend „vorläufige Verordnung“ genannt) voraus.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (3) (nachstehend „endgültige Verordnung“ genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

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Le Conseil a arrêté ce jour , les délégations française et néerlandaise votant contre, un règlement instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits "DRAM" (dynamic random access memories mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (doc. 11806/03).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-08-10]

Der Rat hat heute eine Verordnung zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea (Dok. 11806/03) angenommen; die französische und die niederländische Delegation hatten gegen die Annahme gestimmt.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-08-10]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2003-08-10]

La Commission européenne a institué aujourd'hui un droit compensateur provisoire de 33% sur les importations de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire) produits par le producteur coréen Hynix Semiconductor.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-04-23]

Die Europäische Kommission hat einen vorläufigen Ausgleichszoll von 33 % auf die Einfuhren von DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) eingeführt, die von dem koreanischen Hersteller Hynix Semiconductor produziert werden.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-04-23]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2003-04-23]

Le 22 mai 2001, l'Allemagne a fait part, conformément à l'encadrement multisectoriel des aides à finalité régionale en faveur de grands projets d'investissement ("encadrement multisectoriel"), de son intention d'octroyer une aide à Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG en vue de la construction d'une installation de production de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2001-12-21]

Deutschland teilte der Kommission mit Schreiben vom 22. Mai 2001 seine Absicht mit, der Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG eine Investitionsbeihilfe gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen für große Investitionsvorhaben ("multisektoraler Beihilferahmen") für den Bau eines neues Werks zur DRAM-Herstellung zu gewähren.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2001-12-21]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2001-12-21]

Le projet vise notamment la construction d'une nouvelle usine de production de DRAMs (mémoires dynamiques à accès aléatoire - des semi-conducteurs qui stockent des données binaires) avec une capacité de stockage de 512 megabit et au-delà.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2001-11-27]

Die Investition gilt dem Bau eines neuen Werks für die Herstellung von D-RAM (dynamischen Schreib-/Lesespeichern, d.h. Halbleitern, die binäre Daten speichern) mit einer Speicherkapazität von 512 Megabit und mehr.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2001-11-27]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2001-11-27]

La Commission européenne a autorisé la création d'une entreprise commune de plein exercice entre Hitachi, Ltd (Japon) et NEC Corporation (Japon), qui regroupera les activités des deux entreprises dans le secteur des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-05-03]

Die Europäische Kommission hat der Gründung eines Vollfunktions-Gemeinschaftsunternehmens durch Hitachi Ltd (Japan) und NEC Corporation (Japan), in das beide Unternehmen ihre Produktion von DRAMs (Dynamic Random Access Memory) einbringen, grünes Licht erteilt.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-05-03]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2000-05-03]

Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

Das Verfahren erstreckt sich auf bestimmte Mikroschaltungen, sogenannte dynamische Schreib-Lesespeicher (DRAMs), und zwar sowohl auf: - DRAM-Wafers oder DRAM-Chips als auch auf - montierte und geteste DRAMs und - Multikombinationsformen wie DRAM-Module, ungeachtet ihres MOS-Herstellungsverfahrens, ihrer Dichte, Konfiguration und Zugriffszeit sowie ihres Gehäuses.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

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Date index: 2022-06-16