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Alliage à mémoire
Analyse de réseau
Circuit de rafraichissement des mémoires dynamiques
DRAM
Dram
Dynamique d'un cours d'eau
Dynamique des eaux
Dynamique fluviale
Lieu de mémoire
Matériau à mémoire de forme
Mémoire collective
Mémoire culturelle
Mémoire dynamique
Mémoire dynamique syn. mémoire à circulation
Mémoire dynamique à accès aléatoire
Mémoire historique
Mémoire morte syn. ROM
Mémoire populaire
Mémoire publique
Mémoire sociale
Mémoire vive dynamique
Mémoire électronique dynamique
Optimisation
Ou mémoire ROM
Ou mémoire circulante
Ou mémoire fixe
Ou mémoire inaltérable
Ou mémoire à défilement
Ou mémoire à lecture seule
Ou mémoire à propagation
Programmation dynamique
Programmation linéaire
Rationalisation
Recherche opérationnelle
Souvenir collectif
Technique de gestion

Übersetzung für "Mémoire dynamique " (Französisch → Deutsch) :

TERMINOLOGIE
mémoire dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | Mémoire électronique dynamique | Dram [Abbr.]

dynamischer Schreib-Lesespeicher | dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff


mémoire dynamique | mémoire vive dynamique | DRAM [Abbr.]

dynamische Speicher mit wahlweisem Zugriff | DRAM [Abbr.]


mémoire dynamique syn.: mémoire à circulation | ou: mémoire à propagation | ou: mémoire circulante | ou: mémoire à défilement

dynamischer Speicher


circuit de rafraichissement des mémoires dynamiques

Schaltung zur Auffrischung dynamischer Speicher


mémoire collective [ lieu de mémoire | mémoire culturelle | mémoire historique | mémoire populaire | mémoire publique | mémoire sociale | souvenir collectif ]

kollektives Gedächtnis [ gemeinsames Gedächtnis | historisches Gedächtnis | kulturelles Gedächtnis | nationales Gedächtnis | öffentliches Gedächtnis | soziales Gedächtnis ]


mémoire vive dynamique

DRAM | Dynamischer Schreib-Lese-Speicher | Dynamisches RAM


mémoire morte syn.: ROM | ou: mémoire fixe | ou: mémoire à lecture seule | ou: mémoire inaltérable | ou: mémoire ROM

Festwertspeicher


dynamique d'un cours d'eau | dynamique des eaux | dynamique fluviale

Gewässerdynamik | Flussdynamik


alliage à mémoire [ matériau à mémoire de forme ]

Memory-Legierung [ erinnerungsfähiges Material | Metall mit Formerinnerungsvermögen ]


technique de gestion [ analyse de réseau | optimisation | programmation dynamique | programmation linéaire | rationalisation | recherche opérationnelle ]

Managementtechnik [ dynamische Programmierung | lineare Programmierung | Netzplantechnik | Operations Research | Optimierung | Rationalisierung ]
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
– les orientations encouragent au recours à de nouveaux instruments tels que le mémoire préventif (par lequel le défendeur informe le tribunal avant même l'introduction formelle d'une action en cessation de violation de la propriété intellectuelle) et les injonctions dynamiques (destinées aux récidivistes, par exemple).

- Der Leitfaden ruft zum Einsatz neuer Instrumente wie der Schutzschrift (mit der ein Antragsgegner das Gericht informieren kann, bevor förmlich Klage erhoben wurde) und dynamischer Anordnungen (z. B. gegen Wiederholungstäter) auf.


3. appelle à des actions visant à compléter et à recoudre le tissu de quartiers urbains existants, y compris des quartiers marginalisés, à promouvoir la reconversion fonctionnelle de sites en friche et de zones de conversion, à renforcer, par un processus de développement dynamique, l'attrait des lieux de vie et à restituer à la communauté des espaces fortement symboliques et autres lieux de mémoire qui ont perdu leur fonction originelle ou ont été progressivement abandonnés, tout en promouvant le patrimoine culturel;

3. erwartet Maßnahmen für die Fertigstellung und Eingliederung bereits bestehender Stadtteile, einschließlich Stadtränder, für die funktionale Umgestaltung von stillgelegten Gebieten und Stadterneuerungsgebieten, für die Steigerung der Attraktivität der Orte, an denen die Menschen leben, durch dynamische Entwicklungsprozesse, für die Rückgabe von sehr symbolhaften und erinnerungsreichen Gebieten an die Gemeinschaft, die ihre ursprüngliche Funktion verloren haben oder die zunehmend vernachlässigt wurden, bei gleichzeitiger Förderung des kulturellen Erbes;


8. appelle à la création de dynamiques s'appuyant sur une conception participative et des partenariats avec les associations et les citoyens pour garantir le lien nécessaire entre les politiques générales et les unités territoriales spécifiques, en en valorisant les particularités, l'identité, la mémoire et l'histoire et en renforçant le sens d'appartenance à la communauté et la confiance dans les institutions;

8. fordert gemeinsame Projekte und Partnerschaften mit Vereinen und Bürgern, um die notwendige Verknüpfung allgemeiner und ortsspezifischer Maßnahmen unter Berücksichtigung der Eigenheiten, der Identität, der Erinnerung und der Geschichte zu gewährleisten und den Gemeinschaftssinn und das Vertrauen in die Institutionen zu stärken;


Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de l ...[+++]

Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.


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Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (3) (nachstehend „endgültige Verordnung“ genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein.


Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).

Der endgültigen Verordnung ging die Verordnung (EG) Nr. 708/2003 der Kommission vom 23. April 2003 zur Einführung eines vorläufigen Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen mit Ursprung in der Republik Korea (4) (nachstehend „vorläufige Verordnung“ genannt) voraus.


Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).


Le 22 mai 2001, l'Allemagne a fait part, conformément à l'encadrement multisectoriel des aides à finalité régionale en faveur de grands projets d'investissement ("encadrement multisectoriel"), de son intention d'octroyer une aide à Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG en vue de la construction d'une installation de production de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire).

Deutschland teilte der Kommission mit Schreiben vom 22. Mai 2001 seine Absicht mit, der Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG eine Investitionsbeihilfe gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen für große Investitionsvorhaben ("multisektoraler Beihilferahmen") für den Bau eines neues Werks zur DRAM-Herstellung zu gewähren.


Le projet vise notamment la construction d'une nouvelle usine de production de DRAMs (mémoires dynamiques à accès aléatoire - des semi-conducteurs qui stockent des données binaires) avec une capacité de stockage de 512 megabit et au-delà.

Die Investition gilt dem Bau eines neuen Werks für die Herstellung von D-RAM (dynamischen Schreib-/Lesespeichern, d.h. Halbleitern, die binäre Daten speichern) mit einer Speicherkapazität von 512 Megabit und mehr.


La Commission européenne a autorisé la création d'une entreprise commune de plein exercice entre Hitachi, Ltd (Japon) et NEC Corporation (Japon), qui regroupera les activités des deux entreprises dans le secteur des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM).

Die Europäische Kommission hat der Gründung eines Vollfunktions-Gemeinschaftsunternehmens durch Hitachi Ltd (Japan) und NEC Corporation (Japan), in das beide Unternehmen ihre Produktion von DRAMs (Dynamic Random Access Memory) einbringen, grünes Licht erteilt.


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