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+sens+figuré++aller+au-delà+de+ce+qui+est+admissible.html style='color:white; text-decoration: none;'>> sens figuré aller au-delà de ce qui est admissible
Abuser
Attendre trop
Capacité de charge
Capacité de travail
Capacité à gérer le stress
Capacité à résister au stress
Demander trop à qn
Dépasser la mesure
Excéder
Exiger trop de qn
Logique RTL
Logique à résistance et transistor
Logique à résistance-capacité transistor
Logique à résistances et transistors
Mettre à trop forte contribution
Outrepasser
Résistance
Solliciter dans une trop grande mesure
Surcharger
Surmener
être trop exigeant

Übersetzung für "logique à résistance-capacité transistor " (Französisch → Deutsch) :

TERMINOLOGIE
circuit à résistance,condensateur et transistor | logique à résistance-capacité transistor

Resistor-capacitor-transistor-logic | Widerstand-Kondensator- Transistor-Logik | RCTL [Abbr.]


logique à résistances et transistors | logique RTL

Widerstands-Transistor-Logik | RTL [Abbr.]


logique à résistance et transistor

Widerstand-Transistor-Logik


capacité à résister au stress | capacité à gérer le stress

Belastungsfähigkeit


capacité de charge (techn.) | capacité de travail | résistance (à l'effort)

Belastbarkeit


> sens figuré: aller au-delà de ce qui est admissible | dépasser la mesure | (trop) présumer (p.ex. de ses forces) | excéder (p.ex. les capacités) | surmener | être trop exigeant | demander trop à qn | exiger trop de qn | outrepasser (p.ex. sa résistance) | abuser (p.ex. de ses forces) | attendre trop (p.ex. d'un subordonné) | solliciter dans une trop grande mesure | surcharger | mettre à trop forte contribution

überfordern
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Cependant, sa croissance phénoménale a accru sa complexité physique et logique et a permis l'apparition d'utilisations et services nouveaux. Il est donc légitime de s'interroger sur la capacité de l'internet à résister aux perturbations et aux cyberattaques en augmentation croissante.

Sein außerordentliches Wachstum führte jedoch zu einer zunehmenden physischen und logischen Komplexität und zur Entstehung neuer Dienste und Anwendungsarten. Daher ist es legitim, die Fähigkeit des Internet anzuzweifeln, der zunehmenden Zahl von Störungen und Cyber-Angriffen standzuhalten.


Certes, la question que nous nous posons toutes et tous est la suivante: «Réussirons-nous à parvenir à un accord avec le Conseil?» La réponse dépend, dans une grande mesure, de l’ampleur de notre vote, Mesdames et Messieurs, et plus encore de la capacité des chefs de gouvernement à résister à la tentation de se laisser guider par la logique de l’argent et par la défense de leurs intérêts nationaux.

Sicher wird sich jeder von uns die Frage stellen: „Wird es uns wohl gelingen, eine Einigung mit dem Rat zu erzielen?“ Viel hängt von der Geschlossenheit unseres Votums ab, liebe Kolleginnen und Kollegen, und sehr viel von der Fähigkeit der Regierungschefs, sich nicht von der Logik des Geldes und von der Sorge um ihre nationalen Interessen mitreißen zu lassen.


b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

b) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen usw.), die in der Dünnschicht-oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind, und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z.B. Glas oder Keramik) vereinigt sind.


a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;

a) monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z.B. dotiertem Silicium) hergestellt worden sind und ein untrennbares Ganzes bilden;


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b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

b) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen, usw.), die in der Dünnschicht- oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind, und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z.B. Glas oder Keramik) vereinigt sind.


B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;

B". Elektronische integrierte Schaltungen und zusammengesetzte elektronische Mikroschaltungen (Mikrobausteine)": a) monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen, usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z.B. dotiertem Silicium) hergestellt worden sind und ein untrennbares Ganzes bilden;




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logique à résistance-capacité transistor ->

Date index: 2023-12-03
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